Поиск

Категории

Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.

Перевод с английского Пекаря Г.С., под редакцией Шейнкмана М.К.
ID
13581
Автор
Милнс А.
Год издания
1977
Издательство
Мир
Страниц
562 с.
Переплёт
твёрдый
Формат
увеличенный
Состояние
Хорошее, переплет и корешок потерт, подпись владельца., списана из библиотеки, библиотечный кармашек

 Есть в наличии

Монография А Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных проявлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полупроводниках типа А3B5. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих проводниках и p-n-переходах на их основе: механизмы захвата носителей примесными центрами при наличии электрического поля и в его отсутствие; рекомбинация и прилипание носителей; кинетика фототока и тока переключения диодов; термостимулированная проводимость; токи, ограниченные объемным зарядом и биполярная инженерия; различного типа неустойчивости тока; проводимость в примесной зоне.

НаучКнига.
Сайт основан на движке Inozem
Служебный вход© НаучКнига 2015-2017
Страница сгенерирована за 1.22с.